HY2212/13
产品特性
- 内建高精度电压侦测与延时电路
- 低耗电流:
- 工作模式<3.5μA(VDD=3.2V)
- 休眠模式<0.5μA(VDD=2.0V)
- 小型封装:SOT-23-6
- 宽工作温度范围:-40℃to+85℃
- 所有产品皆采用无卤素绿色环保封装
- 透过MOSFET元件控制电池计量的平衡
HY2212系列
Package Type SOT-23-6 DataSheet
IC型号 | 过充电 检测电压 VCU |
过充电 释放电压 VCR |
过充电检测 延迟时间 TOC |
输出有效运作 |
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HY2212-AB3B | 3.600 V | 3.600 V | 250 ms | 平衡控制P-MOSFET;OUT 输出状态H->L有效 |
HY2212-BB3A | 3.600 V | 3.590 V | 250 ms | 平衡控制N-MOSFET;OUT 输出状态L->H有效 |
HY2212-CB3A | 3.450 V | 3.420 V | 250 ms | 平衡控制N-MOSFET;OUT 输出状态L->H有效 |
HY2213系列
Package Type SOT-23-6 DataSheet
IC型号 | 过充电 检测电压 VCU |
过充电 释放电压 VCR |
过充电检测 延迟时间 TOC |
输出有效运作 |
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HY2213-AB3B | 4.200 V | 4.200 V | 250 ms | 平衡控制P-MOSFET;OUT 输出状态H->L有效 |
HY2213-BB3A | 4.200 V | 4.190 V | 250 ms | 平衡控制N-MOSFET;OUT 输出状态L->H有效 |
HY2213-CB3A | 4.180 V | 4.180 V | 250 ms | 平衡控制N-MOSFET;OUT 输出状态L->H有效 |
HY2213-FB3A | 4.130 V | 4.120 V | 250 ms | 平衡控制N-MOSFET;OUT 输出状态L->H有效 |
HY2213-KB3A | 4.420 V | 4.410 V | 250 ms | 平衡控制N-MOSFET;OUT 输出状态L->H有效 |
选型表