HY2141
产品特性
- 内建高精度电池侦测电流
- 延迟时间由内部电路设置（不需要外接电容）
- 延迟时间缩短功能：通过特定的设置可以缩短过充电检测延迟时间
- 输出逻辑：CMOS输出，高电平有效；高电平由稳压器输出4.7V（典型值）
- 输出逻辑高电平有效最长时间：可选，不局限于默认值
- 低耗电流：
- 工作模式：典型值5.0μA，最大值9.0μA（VCelln = 4.15V）
- 过充检测关断模式：典型值4.5μA，最大值8.0μA（VCelln = 3.1V）
- LDO关闭模式：典型值0.5μA，最大值1.0μA（VCelln = 2.0V）
- 待机模式：最大值0.5μA（VCelln = 1.5V）
- 2节/3节/4节应用选择：通过外部线路，2节/3节/4节应用可选
- LDO输出电路：
- LDO输出电压：3.3V 精度±65mV
- LDO输出电流：最大值2.5mA
- 高耐压设计：绝对最大额定值是30V
- 宽工作温度范围：-40℃ ~ +85℃
- 小型封装：DFN-2.0*2.0-8L
- 无卤素绿色环保产品
Package Type DFN8 (2.0X2.0mm)
| IC型号 | 过充电检测电压 VCUn |
过充电释放电压 VCRn |
关闭模式2检测电压 VSD2n |
过充电检测 延迟时间 TOCn |
过充电释放 延迟时间 TCRn |
过充电检测计数器 复位延迟时间 TDTR |
LDO输出电压 VLDO |
关闭模式2检测 延迟时间 TSD2n |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HY2141-AA1C | 4.350 V | 4.050 V | 2.500 V | 6.0s | 16ms | 6ms | 3.300 V | 6s |
| HY2141-DA1C | 4.500 V | 4.200 V | 2.500 V | 6.0s | 16ms | 6ms | 3.300 V | 6s |
| HY2141-DA1D | 4.500 V | 4.200 V | 2.500 V | 6.0s | 16ms | 6ms | 3.000 V | 6s |
| HY2141-DA1G | 4.500 V | 4.200 V | 2.500 V | 6.0s | 16ms | <0.6ms | 3.300 V | 6s |
| HY2141-TA1H | 4.500 V | 4.200 V | 3.055 V | 6.0s | 16ms | <0.6ms | 3.000 V | 6s |
| HY2141-EA1D | 4.550 V | 4.250 V | 2.500 V | 6.0s | 16ms | 6ms | 3.000 V | 6s |
| HY2141-EA1H | 4.550 V | 4.250 V | 2.500 V | 6.0s | 16ms | <0.6ms | 3.000 V | 6s |
| HY2141-MA1G | 4.550 V | 4.250 V | 2.800 V | 6.0s | 16ms | <0.6ms | 3.300 V | 6s |
| HY2141-UA1H | 4.550 V | 4.250 V | 3.055 V | 6.0s | 16ms | <0.6ms | 3.000 V | 6s |
| HY2141-FA1D | 4.600 V | 4.250 V | 2.500 V | 6.0s | 16ms | 6ms | 3.000 V | 6s |
| HY2141-FA1H | 4.600 V | 4.250 V | 2.500 V | 6.0s | 16ms | <0.6ms | 3.000 V | 6s |
选型表