HY2212/13
產品特性
- 內建高精度電壓偵測與延時電路
- 低耗電流:
- 工作模式<3.5μA(VDD=3.2V)
- 休眠模式<0.5μA(VDD=2.0V)
- 小型封裝:SOT-23-6
- 寬工作溫度範圍:-40℃to+85℃
- 所有產品皆採用無鹵素綠色環保封裝
- 透過MOSFET元件控制電池計量的平衡
HY2212系列
Package Type SOT-23-6 DataSheet
IC型號 | 過充電 檢測電壓 VCU |
過充電 釋放電壓 VCR |
過充電檢測 延遲時間 TOC |
輸出有效運作 |
---|---|---|---|---|
HY2212-AB3B | 3.600 V | 3.600 V | 250 ms | 平衡控制P-MOSFET;OUT 輸出狀態H->L有效 |
HY2212-BB3A | 3.600 V | 3.590 V | 250 ms | 平衡控制N-MOSFET;OUT 輸出狀態L->H有效 |
HY2212-CB3A | 3.450 V | 3.420 V | 250 ms | 平衡控制N-MOSFET;OUT 輸出狀態L->H有效 |
HY2213系列
Package Type SOT-23-6 DataSheet
IC型號 | 過充電 檢測電壓 VCU |
過充電 釋放電壓 VCR |
過充電檢測 延遲時間 TOC |
輸出有效運作 |
---|---|---|---|---|
HY2213-AB3B | 4.200 V | 4.200 V | 250 ms | 平衡控制P-MOSFET;OUT 輸出狀態H->L有效 |
HY2213-BB3A | 4.200 V | 4.190 V | 250 ms | 平衡控制N-MOSFET;OUT 輸出狀態L->H有效 |
HY2213-CB3A | 4.180 V | 4.180 V | 250 ms | 平衡控制N-MOSFET;OUT 輸出狀態L->H有效 |
HY2213-FB3A | 4.130 V | 4.120 V | 250 ms | 平衡控制N-MOSFET;OUT 輸出狀態L->H有效 |
HY2213-KB3A | 4.420 V | 4.410 V | 250 ms | 平衡控制N-MOSFET;OUT 輸出狀態L->H有效 |
選型表